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GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法

發(fā)布時(shí)間: 2021-12-23 13:09:45 點(diǎn)擊: 1291

GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法

FT-300TZ兩探針電阻率測試儀 

一、功能介紹:

適用于半導(dǎo)體材料企業(yè)、科研、高等院校及實(shí)驗(yàn)室分析半導(dǎo)體材料縱向電阻率;可測量橫截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率,試樣長度與截面尺寸之比應(yīng)不小于3:1;配置測量平臺,正反向電流測量模式;液晶顯示,并帶有溫度補(bǔ)償功能,電阻率單位自動(dòng)選擇,可選購PC軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)和報(bào)表管理;提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.

.參照標(biāo)準(zhǔn):

GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探針法;

SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探針法>>


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