GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法
發(fā)布時(shí)間： 2023-08-23 12:53:06 點(diǎn)擊： 509
GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測(cè)量鍺單晶電阻率的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量鍺單晶的體電阻率以及直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的鍺單晶圓片的電阻率。
鍺單晶電阻率是指在一定溫度下，單位長(zhǎng)度、單位截面積的鍺單晶的電阻值。
鍺單晶的電阻率可以通過多種方法進(jìn)行測(cè)量，其中包括直流四探針法。這種方法使用四個(gè)探針接觸鍺單晶表面，通過測(cè)量電阻值來(lái)計(jì)算鍺單晶的電阻率。
需要注意的是，鍺單晶的電阻率受到多種因素的影響，如溫度、雜質(zhì)、缺陷等。因此，在測(cè)試時(shí)需要控制測(cè)試條件，以減小誤差。
此外，對(duì)于鍺單晶的應(yīng)用，電阻率也是一個(gè)重要的參數(shù)。鍺單晶具有高遷移率、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于高速電子器件、光電器件等領(lǐng)域。
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