GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法
2023-08-23
GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法 GB/T 15738-2008是關(guān)于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料的電阻率測試方法，包括原理、測試設(shè)備、試樣制備、測試步驟和數(shù)據(jù)處理等方面的內(nèi)容。 該標(biāo)準(zhǔn)的測試方法是基于四電極測量技術(shù)的。在試樣上施加直流電壓，測量通過試樣的電流，然后根據(jù)歐姆定律計(jì)算電阻率。該方法適用于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料，可以評估材料的導(dǎo)電性能和抗靜電性能。
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GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測試方法
2023-08-23
GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測試方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了精密電阻合金電阻率的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在參考溫度為20℃時，測量實(shí)心并具有均勻截面的精密電阻合金的體積電阻率和單位長度電阻。 合金電阻率是合金材料的一個重要參數(shù)，它反映了該合金材料對電流的*礙作用。不同合金材料具有不同的電阻率，且同一合金材料的電阻率會隨著溫度的變化而變化。例如，銀的電阻率為0.0165歐姆·米，銅的電阻率為0.0172歐姆·米，金和鉑的電阻率較小，分別為0.024歐姆·米和0.025歐姆·米。
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GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評定 第4部分：電阻率
2023-08-23
GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評定 第4部分：電阻率 GB/T 12703.4-2010是關(guān)于紡織品靜電性能評定的標(biāo)準(zhǔn)。其中，“第4部分：電阻率”規(guī)定了測量紡織品電阻率的方法。 該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種使用四探針法測量紡織品電阻率的測試方法。四探針法是一種常用的測試方法，使用四個探針按照直線排列，直接接觸紡織品的表面進(jìn)行測試。
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GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法
2023-08-23
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法 這是一個關(guān)于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了使用四探針法測量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法。 在四探針法中，使用四個探針按照直線排列，分別與材料接觸，然后通過電源向材料施加一定的電流，同時測量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律，可以計(jì)算出材料的電阻率。
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GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
2023-08-23
GB/T 14141-2009標(biāo)準(zhǔn)提供了使用直排四探針法測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法，對于評估半導(dǎo)體器件和材料的電性能具有重要意義。 直排四探針法是一種常用的測試方法，用于測量半導(dǎo)體材料的電阻率。該方法使用四個探針按照直線排列，直接接觸材料的表面進(jìn)行測試。 直排四探針法的優(yōu)點(diǎn)包括： 測試速度快，適合于批量測試。 對樣品的要求較低，不需要進(jìn)行特殊處理。 測量結(jié)果受樣品形狀和尺寸的影響較小。 直排四探針法的測試原理是基于歐姆定律，通過測量探針之間的電壓和電流來計(jì)算材料的電阻率
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GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法
2023-08-23
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法 GB/T 11073-2007是關(guān)于硅片徑向電阻率變化的測量方法的標(biāo)準(zhǔn)。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。 硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標(biāo)準(zhǔn)的測試方法中，硅片的徑向電阻率是通過測量硅片在不同位置的電阻值，然后計(jì)算出平均電阻率來實(shí)現(xiàn)的。
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GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
2023-08-23
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法 規(guī)定了使用非接觸渦流法測試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測試系統(tǒng)應(yīng)包括測試裝置、探頭、信號發(fā)生器、測量儀器和試樣臺等部分。測試時，將硅片或硅薄膜放在試樣臺上，將探頭放置在試樣上方，并調(diào)整探頭與試樣的距離。然后，通過信號發(fā)生器向探頭發(fā)送激勵信號，探頭產(chǎn)生渦流磁場，該磁場在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流。同時，測量儀器測量試樣的電阻值。
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GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
2023-08-23
GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法 規(guī)定了用擴(kuò)展電阻探針法測定硅片的電阻率的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片的電阻率測試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測試設(shè)備應(yīng)包括探針、放大器、信號發(fā)生器、示波器、電源和測試夾具等。測試時，將硅片放在測試夾具上，將探針與硅片接觸并將探針固定在測試夾具上。然后，通過信號發(fā)生器和放大器在硅片上施加一個小的交流電壓，同時觀察示波器上的讀數(shù)。通過這些讀數(shù)，可以計(jì)算出硅片的電阻率
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GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
2023-08-23
GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測量方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量鍺單晶的體電阻率以及直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的鍺單晶圓片的電阻率。
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GB/T 32993-2016碳纖維體積電阻率的測定
2023-08-23
GB/T 32993-2016碳纖維體積電阻率的測定 規(guī)定了碳纖維體積電阻率的測定方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳纖維絲束、碳纖維紗線等。 根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)，碳纖維體積電阻率的測定可以采用方法A（單絲法）和方法B（紗束法）。其中，方法A是指將碳纖維單絲置于電極之間，通過測量單絲的電阻值來計(jì)算體積電阻率；方法B是指將碳纖維紗線置于電極之間，通過測量紗線的電阻值來計(jì)算體積電阻率。
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